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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI6866DQ-T1-E3 | DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET 文件：91.45 Kbytes Page：5 Pages | VAISHVaishali Semiconductor Vaishali Semiconductor |  |   |
SI6866DQ-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI6866DQ-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 20V 5.8A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-5-10 14:27:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
22+ |
TSSOP8 |
2568 |
原装优势!绝对公司现货 |
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VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TSSOP-8 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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VISHAY |
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原装VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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