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SI3900DV-T1-E3价格
参考价格:¥1.2328
型号:SI3900DV-T1-E3 品牌:Vishay 备注:这里有SI3900DV-T1-E3多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI3900DV-T1-E3批发/采购报价,SI3900DV-T1-E3行情走势销售排行榜,SI3900DV-T1-E3报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SI3900DV-T1-E3 | DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | ||
SI3900DV-T1-E3 | DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET 文件:92.52 Kbytes Page:5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | ||
SI3900DV-T1-E3 | DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET 文件:201.99 Kbytes Page:9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |
SI3900DV-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3900DV-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 20V 2.4A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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23+ |
N/A |
90350 |
正品授权货源可靠 |
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VISHAY/威世 |
22+21+ |
SOT23-6 |
28106 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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SILICONIX |
20+ |
6-TSOP |
542 |
一周左右货期全新进口原装 |
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VISHAY/威世 |
1925+ |
6-TSOP |
45000 |
真实库存!原装特价!实单必成交! |
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VISHAY |
2020+ |
SOT23 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
VISHAY |
23+ |
6-TSOP |
6680 |
全新原装优势 |
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VISHAY |
23+24 |
SC70-6L |
136800 |
专业经营原装MOS管,二极管.三极管TVS瞬变抑制 |
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ANPEC |
07+PBF |
SOT23-6 |
733 |
现货 |
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ANPEC |
21+ |
SOT23-6 |
20000 |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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VISHAY(威世) |
23+ |
SOT-23-6 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
SI3900DV-T1-E3规格书下载地址
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2021-11-10SI4355-B1A-FM
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2021-3-19SI4403CDY-T1-GE3百分百原装现货
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2019-12-13SI3456DDV-T1-GE3原装现货/长期供应
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2019-9-3
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