si3457cdv-t1-ge3原厂原装

发布企业:深圳市拓亿芯电子有限公司时间:2019-12-13 10:14:00

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标准包装 1

系列 TrenchFET?

FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 特点 逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.1A

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 74 毫欧 @ 4.1A,10V

Id 时的 Vgs(th)(最大) 3V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds 450pF @ 15V

功率 - 最大 3W

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-TSOP(0.065,1.65mm 宽)

供应商设备封装 6-TSOP

包装 剪切带 (CT)

其它名称 SI3457CDV-T1-GE3CT 公司地址;深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603室 联系电话 0755-82777855/82702619 QQ 1774550803 QQ 2924695115 / 13510175077 联系人 刘先生/李小姐

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
2024-4-18 19:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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