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SI3588DV-T1-GE3

N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
SI3588DV-T1-GE3

N-andP-Channel20-V(D-S)MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SI3588DV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3588DV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 3.0/2.2A 1.15W 128/300mohm @ 1.8V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-1 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
23+
NA/
6250
原厂直销,现货供应,账期支持!
VISHAY/威世
23+
TSOP-6
54258
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
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SOT23-6
6299
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VBsemi/台湾微碧
SOT-26
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集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
VISHAY/威世
2022
SOT163
80000
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VISHAY/威世
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2023+
TSOP-6
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全新原厂原装产品、公司现货销售
VISHAY-威世
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78800
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VBSEMI
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SOT-26
27000

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