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SI3451DV-T1-GE3

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI3451DV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3451DV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 2.8A 2.1W 11.5mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-13 20:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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20+
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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