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位置：首页 > IC中文资料第2358页 > SGP20N60HS

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGP20N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology

HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers:   -parallelswitchingcapability   -moderateEoffincreasewithtemperature   -

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SGP20N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

文件：388.34 Kbytes Page：12 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SGP20N60HS_09

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

文件：388.34 Kbytes Page：12 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SGP20N60HSXKSA1

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 36A 178W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
20N60

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60B

HiPerFASTIGBT

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
20N60

FastSwitching

文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
20N60

N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET

文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
20N60A

20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor

文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE

SGP20N60HS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGP20N60HS

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

SGP20N60HS供应商更多...

更新时间：2024-5-25 8:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瀚佳科技(深圳)有限公司
SGP20N60HS
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SGP20N60HS
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中科航电（深圳）电子集团有限公司
SGP20N60HS
INFINEON/英飞凌
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