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SGP10N60价格
参考价格：￥6.7162
型号：SGP10N60A 品牌：Infineon 备注：这里有SGP10N60多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SGP10N60批发/采购报价，SGP10N60行情走势销售排行榜，SGP10N60报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGP10N60 | HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription Fairchild’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,UninterruptedPowerSupplies(UPS)andgeneralinvertersw | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration 文件：353.85 Kbytes Page：12 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration 文件：353.85 Kbytes Page：12 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 20A 92W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
ShortCircuitRatedIGBT 文件：541.72 Kbytes Page：7 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 16A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 |  | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | |
SGP10N60产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGP10N60
- 功能描述
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
1937+ |
TO220 |
9852 |
只做进口原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
20000 |
原装现货,实单支持 |
|||
INFINEON |
TO220 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
2122+ |
TO220 |
10000 |
全新原装进口,价格美丽 |
|||
INFINEON |
2022+ |
TO220 |
57550 |
||||
infineon |
TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
英飞凌 |
1746+ |
TO220 |
8862 |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
|||
INFINEON |
23+ |
PG-TOTO-220-3 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
INF |
26 |
||||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA/ |
27250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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SGP10N60规格书下载地址
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