SGP10N60RUFDTU价格

参考价格:¥8.6590

型号:SGP10N60RUFDTU 品牌:Fairchild 备注:这里有SGP10N60RUFDTU多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SGP10N60RUFDTU批发/采购报价,SGP10N60RUFDTU行情走势销售排行榜,SGP10N60RUFDTU报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGP10N60RUFDTU

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

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WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

WXDH

10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:330.13 Kbytes Page:8 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

SGP10N60RUFDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGP10N60RUFDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-25 22:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
ON/安森美
21+
25000
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FSC/ON
23+
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ON/安森美
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50000
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ON/安森美
22+
SMD
9000
原装正品

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