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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGD02N60 | FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
SGD02N60 | FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration 文件：358.65 Kbytes Page：12 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
SGD02N60 | N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.08647 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 6A 30W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.70191 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
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SGD02N60产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGD02N60
- 功能描述
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
infineon |
22+ |
35000 |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
||||
Infineon |
2023+ |
TO-252-2 |
5425 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
INFINEON |
1816+ |
. |
6523 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
23+ |
N/A |
12550 |
正品授权货源可靠 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
21+23+ |
TO-252-2 |
10000 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-TO252-3 |
9600 |
原装现货，欢迎询价 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO252-3 |
10000 |
原装正品，支持实单 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-252 |
2669 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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