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SGD02N60中文资料

厂家型号	SGD02N60
文件大小	1086.47Kbytes
页面数量	9页
功能描述	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	VBsemi Electronics Co. Ltd
简称	VBSEMI【微碧半导体】
中文名称	微碧半导体（台湾）有限公司官网
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SGD02N60产品属性

类型
描述
型号
SGD02N60
功能描述
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

SGD02N60供应商...

更新时间：2024-5-19 23:00:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司

中文资料: 9545条

微碧半导体创建于2003年春，是一家集MOSFET晶圆开发设计，封装测试，销售服务，技术员支持为一体的国家高新技术企业。我们服务于中高端市场的终端制造商，致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管，使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。微碧研发总部位于中国台湾，公司以VBsemi品牌系列产品为核心，积极批量开发，并严格执行ISO9001国际质量标准，拥有10余认证以及多种荣誉称号。