RJP60D0DPE价格

参考价格:¥13.7858

型号:RJP60D0DPE-00#J3 品牌:Renesas 备注:这里有RJP60D0DPE多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,RJP60D0DPE批发/采购报价,RJP60D0DPE行情走势销售排行榜,RJP60D0DPE报价。
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RJP60D0DPE

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplatingand

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SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

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封装/外壳:SC-83 包装:管件 描述:IGBT 600V 45A 122W LDPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplatingan

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SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplatingan

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SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter

Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=

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SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter

Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=

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RJP60D0DPE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP60D0DPE

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2024-6-6 15:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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公司只做原装正品
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原装正品,支持实单
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全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
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