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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):44mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmo | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
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extremelylowlossesduetoverylowfomrdsonqgandeoss 文件：1.13537 Mbytes Page：15 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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22+ |
ILCC |
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N/L |
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SONY |
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962 |
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