SiC功率MOSFET和二极管栅极驱动评估板套件
Littelfuse技术IXYS的栅极驱动器评估板分析了SiC设计对系统级的影响
SiC功率MOSFET和二极管栅极驱动评估板套件的图像IXYS，一Littelfuse的技术，已经开发了碳化硅MOSFET和二极管的栅极驱动器评估板。GDEV系统由一个主板组成，可以将栅极驱动器模块板插入其中，从而使用户能够分析与基于SiC的设计相关的系统级影响。它具有在定义明确和优化的测试条件下比较不同栅极驱动器半桥配置解决方案性能的能力。此外，GDEV还提供了在连续工作条件下的测试栅极驱动电路，以评估栅极驱动器的热性能和EMI抗扰性。
资源资源
应用说明：栅极驱动器评估平台
产品目录：功率半导体产品目录
产品亮点：功率半导体-碳化硅（SiC）产品组合
白皮书：SiC MOSFET的现状：器件发展，技术优点和商业前景
视频：以SiC为主流：Littelfuse功率半导体的故事
特征
评估SiC功率MOSFET和二极管在额定电压和额定电流下的连续运行
在定义明确和优化的测试条件下比较不同栅极驱动器解决方案的性能。
在连续工作条件下测试栅极驱动电路，以评估栅极驱动器的热性能和EMI抗扰度
