MGA-718544-HP3 ： 7.1 – 8.5 GHz25W GaN功率放大器。公司优势库存。
特点：?12 dB增益
?44 dBm和LSG≥7.0 dB CW
?OIP3≥54 dBm，每音38 dBm
?PAE 32％at 44 dBm
?匹配的输入和输出，易于级联
?符合RoHS要求的表面贴装封装
?热阻为2.0℃/ W
?MTTF> 100年@85oC环境温度
应用程序：?点对点无线电
?无线连接
描述：
MwT的MGA-718544-HP3是25W GaN功率放大器。 放大器的CW RF工作于7.1至8.5 GHz
功率输出典型值为25W，PAE为32％。 放大器的RF输入和输出匹配至50。 外部
偏心三通是必需的。 OIP3为54 dBm（每音38 dBm）。
MGA-718544-HP3封装底座是实心铜，可提供出色的热管理。 总Rth为2.0℃/ W。
(MWt)成立于1982年，由具有广泛经验的砷化镓(GaAs)器件设计和制造的技术负责人。由于一家工厂占地35，000平方英尺，该公司的主要资产包括其GaAs半导体工厂和一个混合芯片和线微波集成电路(HMIC)制造设施。垂直制造和产品强度为微波元件市场提供了不寻常的?易用性和机会。
今天，MWt是一家领先的美国制造商，生产分立砷化镓二极管和晶体管(FET、PHEMT和Gunn Diodes)。早期着重于设备可靠性的工作导致了专有的金属化系统，使MWt的设备不受氢污染，这是目前高可靠性工业非常关注的项目。
这些设备采用专有的epi材料和四分之一微米的凹进栅工艺技术，产生高度线性(1WP-1dB无线放大器中的+48 dBmIP3)和低相位噪声(17.5GHz DRO中的-125 dBc@100 kHz偏移)，功率输出从10毫瓦到5瓦不等。这些设备作为芯片或封装出售，?广泛用于10 MHz至40 GHz信号的放大?传输或接收无线基础设施系统、工业射频应用以及各种国防和航天电子领域的信息
MGA-333840-02
MGA-242740-02
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