MwT-GK-C ： 公司优势库存。
特征：
K波段（18-26.5 GHz）频率源应用
出色的频率线性调频性能
脉冲或连续操作
20年的可靠性能和可靠性
在MwT专属GaAs晶圆厂中加工
提供包装或模具形式
典型应用：
运动检测和监视
微波发射器和接收器
军用雷达
耿氏二极管振荡器
雷达探测器
基于MwT预备外延轮廓设计和工艺技术，MwT-GK是Gunn
面向连续波和脉冲K波段（18-26.5 GHz）频率源应用的二极管器件。 的
该器件的输出功率为13 dBm，在脉冲操作模式下具有出色的线性调频性能。 的
该器件是在MwT GaAs晶圆厂使用经过验证的可靠性和鲁棒性的工艺技术制造的。 MwT-GK有裸片或包装形式。
MwT-GK Gunn二极管面向连续波和脉冲K波段（18-26.5 GHz）频率源应用。 该设备的典型应用包括运动检测和监视，
微波发射器和接收器，军用雷达，耿氏二极管振荡器和雷达探测器。
(MWt)成立于1982年，由具有广泛经验的砷化镓(GaAs)器件设计和制造的技术负责人。由于一家工厂占地35，000平方英尺，该公司的主要资产包括其GaAs半导体工厂和一个混合芯片和线微波集成电路(HMIC)制造设施。垂直制造和产品强度为微波元件市场提供了不寻常的?易用性和机会。
今天，MWt是一家领先的美国制造商，生产分立砷化镓二极管和晶体管(FET、PHEMT和Gunn Diodes)。早期着重于设备可靠性的工作导致了专有的金属化系统，使MWt的设备不受氢污染，这是目前高可靠性工业非常关注的项目。
这些设备采用专有的epi材料和四分之一微米的凹进栅工艺技术，产生高度线性(1WP-1dB无线放大器中的+48 dBmIP3)和低相位噪声(17.5GHz DRO中的-125 dBc@100 kHz偏移)，功率输出从10毫瓦到5瓦不等。这些设备作为芯片或封装出售，?广泛用于10 MHz至40 GHz信号的放大?传输或接收无线基础设施系统、工业射频应用以及各种国防和航天电子领域的信息
MGA-333840-02
MGA-242740-02
MGA-444940-02
MGA-445343-99
MGA-495940-02
MGA-515844-99
MGA-718540-HP3
MGA-718544-HP3
MwT-GK-C
MwT-GK-P
MwT-GX-C
MwT-GX-P
