MwT-1789 ： 公司优势库存。
特征
DC –4000 MHz高线性/高动态范围应用的理想选择
出色的射频性能：
IP3的46 dBm
70 dBc ACPR
28 dBm P1分贝
14 MHz SSG @ 2000 MHz
2000 MHz时为1.3 dB NF
MTTF> 100年@通道温度150oC
符合RoHS要求的无铅表面贴装SOT-89封装
产品描述
MwT-1789是采用低成本SOT89封装的高线性度GaAs MESFET器件，非常适合于高线性度
驱动器，PA（功率放大器）和高动态范围LNA应用。应用包括2G，2.5G和3G
无线基础结构标准，例如GSM，TDMA，cdma，Edge，cdma2000，WCDMA，TD-SCDMA和UMTS基础
站。该产品还适用于高数据速率无线局域网基础设施应用，例如高QAM速率802.11
WiFi和802.16 WiMax基站和AP（接入点）。另外，该产品可用于点对点
微波通讯链接。 MwT-1789的三阶拦截性能非常出色，通常为18 dB
高于1 dB功率增益压缩点。在900 MHz时，噪声系数低至0.8 dB。芯片生产
使用MwT专有的高线性度设备设计。它还使用MwT可靠的金属化工艺。所有筹码都是
使用MwT的专利“钻石状碳”工艺钝化，以提高耐用性。
(MWt)成立于1982年，由具有广泛经验的砷化镓(GaAs)器件设计和制造的技术负责人。由于一家工厂占地35，000平方英尺，该公司的主要资产包括其GaAs半导体工厂和一个混合芯片和线微波集成电路(HMIC)制造设施。垂直制造和产品强度为微波元件市场提供了不寻常的?易用性和机会。
今天，MWt是一家领先的美国制造商，生产分立砷化镓二极管和晶体管(FET、PHEMT和Gunn Diodes)。早期着重于设备可靠性的工作导致了专有的金属化系统，使MWt的设备不受氢污染，这是目前高可靠性工业非常关注的项目。
这些设备采用专有的epi材料和四分之一微米的凹进栅工艺技术，产生高度线性(1WP-1dB无线放大器中的+48 dBmIP3)和低相位噪声(17.5GHz DRO中的-125 dBc@100 kHz偏移)，功率输出从10毫瓦到5瓦不等。这些设备作为芯片或封装出售，?广泛用于10 MHz至40 GHz信号的放大?传输或接收无线基础设施系统、工业射频应用以及各种国防和航天电子领域的信息
MGA-333840-02
MGA-242740-02
MGA-444940-02
MGA-445343-99
MGA-495940-02
MGA-515844-99
MGA-718540-HP3
MGA-718544-HP3
MwT-GK-C
MwT-GK-P
MwT-GX-C
MwT-GX-P
MwT-0204S/Z-LN600
MwT-0307S/Z-LN600
MwT-0513S/Z-LN300
MwT-0718S/Z-LN300
MwT0206-11P2
MwT0206-1G1
MwT0206-1G2
MwT0206-2P2
MwT-1789
MWT-1789SB
MWt-A989
MWT-17Q3
MWT-22Q4
