IRLML6401TRPBF INFINEON 12V 1.3W 10nC MOSFET
IRLML6401TRPBF产品详细规格
高度 1.02mm
晶体管材料 Si
类别 功率 MOSFET
长度 3.04mm
典型输入电容值@Vds 830 pF@ 10 V
通道模式 增强
安装类型 表面贴装
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 50 mΩ
通道类型 P
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
最大栅阈值电压 0.95V
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 1.3 W
最大栅源电压 ±8 V
宽度 1.4mm
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
最小栅阈值电压 0.4V
最大漏源电压 12 V
典型接通延迟时间 11 ns
典型关断延迟时间 250 ns
封装类型 微型
最大连续漏极电流 4.3 A
引脚数目 3
晶体管配置 单
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V
工厂包装数量 3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 12 V
晶体管极性 P-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 50 mOhms
Pd - Power Dissipation 1.3 W
品牌 Infineon Technologies
Id - Continuous Drain Current - 4.3 A
封装 Reel
身高 1.1 mm
安装风格 SMD/SMT
长度 2.9 mm
封装/外壳 SOT-23-3
通道数 1 Channel
Qg - Gate Charge 10 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 8 V
晶体管类型 1 P-Channel
技术 Si
RoHS RoHS Compliant
AD8505ARJZ AD8532ARZ-REEL7 AD8534ARZ-REEL AD8541ARTZ-REEL7 AD8542ARZ-REEL7 AD8544ARUZ AD8544ARZ AD8613AUJZ AD8617ARZ-REEL7 AD8692ARZ-REEL7 AD8694ARZ-REEL7 ADA4505-1ARJZ
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
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在自驾功能朝向Level 3与Level 4发展的过程中，车联网导入应用将越来越普遍，5G V2X能提供大频宽与低延迟网络，满足高阶自动驾驶系统需求，强化车辆获得信息的能力，为车辆安全性再加值。
联网化是近年车辆发展的重点之一，根据产业调查机构研究指出至2020年联网车辆将增至6，100万辆;2016年车联网市场产值突破190亿美元，2015至2020年的年均复合成长率高达31.5%，2020年将进一步突破500亿美元。车联网(V2X)可分成车对车(V2V)、车队基础设施(V2I)、车对人(V2P)等几个类别，尤其5G的R16技术标准，将是第一版5G C-V2X技术。在先进驾驶辅助系统ADAS已大量搭载到市售车上之后，车联网可以进一步强化车辆获得信息的能力，为车辆安全性再加值。
包括入门的自动紧急呼叫与道路故障救援服务，未来透过车联网还可以让汽车更智慧化、个性化;车联网技术主流为3GPP主导的C-V2X和IEEE发展已久的802.11p专用短距离通讯(DSRC)。在自驾功能朝向Level 3与Level 4等高阶功能发展的过程中，车联网导入应用将越来越普遍，本活动剖析5G C-V2X、DSRC技术标准发展动态，并分享车用网络的应用发展趋势与产业商机。
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