SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY 60V 0.345Ohm MOSFET SOT-23
SI2309CDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 1.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 345 mOhm @ 1.25A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 4.1nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 210pF @ 30V
功率 - 最大 1.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 1.2 A
RDS -于 345@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 40 ns
典型上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型下降时间 10 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1000
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 345@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 1.2
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 1.7W
匹配代码 SI2309CDS
单位包 3000
标准的提前期 17 weeks
最小起订量 1
极化 P-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我（D ） 1.6A
V（ DS ） 60V
R（ DS上） 0.345Ohm
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 1.2A (Ta)， 1.6A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 60V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 345 mOhm @ 1.25A， 10V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.7W
输入电容（Ciss ） @ VDS 210pF @ 30V
闸电荷（Qg ） @ VGS 4.1nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2309CDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.345 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23， TO-236
典型栅极电荷@ VGS 2.7 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS 210 pF V @ 30
宽度 1.4mm
晶体管极性 :P Channel
Continuous Drain Current Id :-1.6A
Drain Source Voltage Vds :-60V
On Resistance Rds(on) :285mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-1V
功耗 :1.7W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :-1.6A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Voltage Vgs Max :20V
