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NTHL060N090SC1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,60mohm,900V,M2,TO-247-3L

Features •Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=43m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=87nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=113pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecond

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安森美半导体安森美半导体公司

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NTHL060N090SC1

MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel900V,60m,46A

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SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,60mohm,900V,M2,TO-247-3L

Features •Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=43m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=87nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=113pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecond

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SiliconCarbide(SiC)MOSFET–60mohm,900V,M2,D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=43m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=88nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=115pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−F

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MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L900V,60m,44A

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MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L

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更新时间:2024-6-6 18:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
ON/安森美
22+
TO-247-3LD
10000
十年沉淀唯有原装
ON/安森美
23+
TO-247-3LD
6000
只做原装,假一赔十
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
onsemi
24+
TO-247-3
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
ON/安森美
TO-247-3LD
90000
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
ON/安森美
23+
TO-247-3LD
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
ON/安森美
21+
TO-247-3LD
8080
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