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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NP110N04PUJ | MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP110N04PUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •Lowinputcapacitance Ciss=9500pFTYP. •Designedforautomotiveapplicati | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
NP110N04PUJ | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
NP110N04PUJ | ProductScoutAutomotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP110N04PUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •Lowinputcapacitance Ciss=9500pFTYP. •Designedforautomotiveapplicati | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP110N04PUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •Lowinputcapacitance Ciss=9500pFTYP. •Designedforautomotiveapplicati | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
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N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET 文件：587.87 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 |  | |
NP110N04PUJ产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP110N04PUJ
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
TO-263 |
32687 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
NEC |
2020+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
NEC |
23+ |
TO-263 |
11846 |
全新原装 |
|||
NEC |
22+ |
TO-263 |
28600 |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
|||
NEC |
23+ |
TO-263 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
Renesas |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
NEC |
12+ |
TO-263 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
Renesas Electronics America In |
23+ |
SMD |
69694 |
原装正品实单可谈 库存现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
|||
R |
23+ |
TO-263 |
35400 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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2020-8-4NPA1006假一罚十
只做原装正品，欢迎咨询。
2020-7-16
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