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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NP110N04PDG | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ||
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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
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NP110N04PDG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP110N04PDG
- 功能描述
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
9000 |
原装正品 |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
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RENESAS/瑞萨 |
2021+ |
TO263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-263 |
79999 |
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NEC |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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RENESAS |
20+ |
SOT263 |
800 |
全新原装,价格优势 |
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Renesas |
23+ |
MP-25ZPTO-263 |
35400 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
NEC |
23+ |
TO-263 |
11844 |
全新原装 |
|||
NEC |
23+ |
TO-263 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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RENESAS |
2020+ |
TO263 |
3985 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
NP110N04PDG规格书下载地址
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只做原装正品,欢迎咨询。
2020-7-16
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