型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NP110N04PDG

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
NP110N04PDG

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RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

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FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

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N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET

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HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

NP110N04PDG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP110N04PDG

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-6-1 11:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
9000
原装正品
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
RENESAS/瑞萨
2021+
TO263
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
RENESAS/瑞萨
2022+
TO-263
79999
NEC
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
20+
SOT263
800
全新原装,价格优势
Renesas
23+
MP-25ZPTO-263
35400
全新原装真实库存含13点增值税票!
NEC
23+
TO-263
11844
全新原装
NEC
23+
TO-263
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
RENESAS
2020+
TO263
3985
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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