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位置：首页 > IC中文资料第975页 > NDD02N60Z

NDD02N60Z价格

参考价格：￥1.4335

型号：NDD02N60Z-1G 品牌：ONSemi 备注：这里有NDD02N60Z多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NDD02N60Z批发/采购报价，NDD02N60Z行情走势销售排行榜，NDD02N60Z报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NDD02N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
NDD02N60Z

N-ChannelPowerMOSFET600V,4.8

文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NDD02N60Z-1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
NDD02N60Z-1G

N-ChannelPowerMOSFET600V,4.0

文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NDD02N60Z-1G

N-ChannelPowerMOSFET

文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NDD02N60Z-1G

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件：1.08208 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
NDD02N60ZT4G

N-ChannelPowerMOSFET

文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NDD02N60ZT4G

N-ChannelPowerMOSFET600V,4.0

文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NDD02N60ZT4G

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.08607 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
NDD02N60ZT4G

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件：1.77774 Mbytes Page：5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
02N60H

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.70191 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
02N60H-H

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.70195 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
02N60H-HF

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.70167 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
02N60H-H-HF

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.70169 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
02N60P

NCHANNELENHANCEMENTMODE

文件：701.78 Kbytes Page：6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

NDD02N60Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NDD02N60Z

  • 功能描述

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

NDD02N60Z供应商更多...

更新时间：2024-6-3 18:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
NDD02N60Z-1G
ON
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中天科工半导体（深圳）有限公司
NDD02N60Z
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NDD02N60Z
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