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NDD02N60Z-1G中文资料

厂家型号	NDD02N60Z-1G
文件大小	1082.08Kbytes
页面数量	9页
功能描述	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	VBsemi Electronics Co. Ltd
简称	VBSEMI【微碧半导体】
中文名称	微碧半导体（台湾）有限公司官网
LOGO

相近规格书

NDD02N60Z-1G产品属性

类型
描述
型号
NDD02N60Z-1G
功能描述
MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

NDD02N60Z-1G供应商...

更新时间：2024-4-30 15:44:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛能新源半导体有限公司	NDD02N60Z-1G	ON/安森美	21+	TO-251	60000	原装正品进口现货	询价
深圳市智创诚芯电子科技有限公司	NDD02N60Z-1GMOS(场效应管)	ON/安森美	TO-251	货真价实,假一罚十	25000		询价
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	NDD02N60Z-1G	ON	1438+	TO-251-3	39500		询价
深圳市恒创达实业有限公司	NDD02N60Z-1G	ON	17+	NA	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市凌旭科技有限公司	NDD02N60Z-1G	ON	2016+	TO-251	3900	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市深创辉科技有限公司	NDD02N60Z-1G	ON	11+		60		询价
深圳好佳好科技有限公司	NDD02N60Z-1G	ON	1408+	N/A	15000	绝对原装进口现货可开增值税发票	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	NDD02N60Z-1G	ON	2020+	TO251	80	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	NDD02N60Z-1G	ON	17+	DPAK	6000	进口原装正品假一赔十,货期7-10天	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NDD02N60Z-1G	ON	1726+	TO-251	6528	只做进口原装正品现货,假一赔十!	询价

NDD02N60Z-1G 价格

参考价格：￥1.4335

型号：NDD02N60Z-1G 品牌：ONSemi 备注：这里有NDD02N60Z-1G多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NDD02N60Z-1G批发/采购报价，NDD02N60Z-1G行情走势销售排排榜，NDD02N60Z-1G报价。

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VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司

中文资料: 9545条

微碧半导体创建于2003年春，是一家集MOSFET晶圆开发设计，封装测试，销售服务，技术员支持为一体的国家高新技术企业。我们服务于中高端市场的终端制造商，致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管，使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。微碧研发总部位于中国台湾，公司以VBsemi品牌系列产品为核心，积极批量开发，并严格执行ISO9001国际质量标准，拥有10余认证以及多种荣誉称号。