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NCE4606	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件：431.87 Kbytes Page：10 Pages	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司
NCE4606A	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件：442.15 Kbytes Page：10 Pages	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司
4606	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description The4606usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside switch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●N-Channel VDS=30V,ID=6.9A RDS(ON)	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司
4606	HighQ,highself-resonantfrequency SpecialFeatures •HighQ,highself-resonant frequency •Highvoltageapplication •Singlelayeror3-piuniversal wound •Lowcost •Varnishcoated •Operatingtemperature: phenolic-55to+125°C iron&ferrite-55to+105°C •Currenttocause35°Cmaximum temperaturerise	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
4606AX	TUBEAXIAL	EBMPAPST ebm-papst
4606	Binaryreductionvalve 文件：99.4 Kbytes Page：1 Pages	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司
4606	N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET 文件：1.22669 Mbytes Page：14 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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更新时间：2024-6-4 22:58:00

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