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NCE40P06J

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE40P06Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-40V,ID=-6A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

NCEPOWER

P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS‐60V RDSON(MAX.)62mΩ ID‐17A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

P-Channel60V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

P-Channel60V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI
更新时间:2024-5-15 19:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NCE新洁能
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DFN2X26L
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