位置：首页 > IC中文资料第5766页 > MWS11GB11-S1
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MWS11GB11-S1 | InGaPHBTGainBlock DESCRIPTION Thisgeneralpurposeamplifierisalowcost,broadbandRFICmanufacturedwithanInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process(MOCVD).ThisRFICamplifierwasdesignedasaneasilycascadable50ohmgainblock.Thedeviceisself-containedwith50ohminputandoutputi | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 |  |   |
MWS11GB11-S1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MWS11GB11-S1
- 制造商
MICROSEMI
- 制造商全称
Microsemi Corporation
- 功能描述
InGaP HBT Gain Block
更新时间：2024-5-12 13:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Essentra(益升华) |
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航宇科工半导体-央企合格优秀供方 |
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2020-8-13MWT-22Q4原装现货
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2019-12-4MwT-1789原装现货
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