型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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LT1168_15 | LowPower,SingleResistorGainProgrammable,PrecisionInstrumentationAmplifier 文件:349.89 Kbytes Page:20 Pages | LINERLinear Technology 线性技术公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ADI/亚德诺 |
2339+ |
PDIP-8 |
32280 |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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LINEAR/凌特 |
22+ |
DIP-8 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
ADI(亚德诺)/LINEAR |
2021+ |
PDIP-8 |
499 |
||||
LINAER |
22+ |
DIP8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
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ADI/亚德诺 |
20+ |
PDIP-8 |
5000 |
原厂原装订货诚易通正品现货会员认证企业 |
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LINER |
23+ |
NA |
25060 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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ADI/亚德诺 |
19+ |
PDIP-8 |
680000 |
订货原装进口假一罚十 |
|||
ADI |
22+ |
8-Lead PDIP (Narrow 0.3 Inch) |
3600 |
原盘,原标,假一赔三,支持账期 |
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LINEAR/凌特 |
21+ |
DIP-8 |
2366 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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LINEAR |
20+/21+ |
DIP8 |
7810 |
全新原装进口价格优势 |
LT1168_15规格书下载地址
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2022-10-20LT1166CS8#PBF
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2022-5-23LT1172CS8
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2020-11-29LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压(HV)高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护,防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件,欠压积极拉锁定驱动器输出,以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠,即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本,目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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