描述
在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或24引脚SO封装宽。
特点
浮顶驱动高达60V的开关
门顶驱动N沟道MOSFET以上高压供电负荷
180ns转换时间驱动10,000 pF的
自适应非重叠门驱动预防贯通
在高负载循环顶部驱动保护
的TTL / CMOS输入电平
欠压锁定与迟滞在电源电压从10V至15V的操作ñ
独立的顶部和底部驱动引脚
应用
的PWM大电流感性负载
半桥和全桥电机控制
同步降压开关稳压器
三相无刷电机驱动器
高驱动电流传感器
D类功率放大器
LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
时间：2013-2-27 15:26:00
描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在
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2024-4-27 13:11:00
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