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位置：首页 > IC中文资料第4270页 > IXTY1R4N120P

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXTY1R4N120P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=1.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=13Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXTY1R4N120P

N-ChannelEnhancementMode

文件：130.71 Kbytes Page：4 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTY1R4N120P

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

文件：309.99 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTY1R4N120P

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：368.72 Kbytes Page：6 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTY1R4N120PHV

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：368.72 Kbytes Page：6 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTY1R4N120PHV

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

文件：309.99 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTY1R4N120PHV_V01

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：368.72 Kbytes Page：6 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTA1R4N120P

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

文件：309.99 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTA1R4N120P

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：368.72 Kbytes Page：6 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTA1R4N120P

N-ChannelEnhancementMode

文件：130.71 Kbytes Page：4 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTP1R4N120P

N-ChannelEnhancementMode

文件：130.71 Kbytes Page：4 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTP1R4N120P

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

文件：309.99 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXTY1R4N120P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTY1R4N120P

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IXTY1R4N120P供应商更多...

更新时间：2024-5-12 16:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市惊羽科技有限公司
IXTY1R4N120P
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-252-3
9328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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深圳市高捷芯城科技有限公司
IXTY1R4N120P-TRL
Littelfuse/IXYS
23+
TO-252AA
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
IXTY1R4N120P
IXYS
23+
TO-252
12300
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深圳宝隆芯业科技有限公司
IXTY1R4N120P
IXYS
23+
SMD
67000
原装正品实单可谈 库存现货
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深圳市特顺芯科技有限公司
IXTY1R4N60P
IXYS
07+/08+
TO-252
2159
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深圳市创新迹电子有限公司
IXTY1R4N120P
IXYS/艾赛斯
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TO-252
30000
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深圳市国宇半导体科技有限公司
IXTY1R4N120P
IXYS/艾赛斯
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TO-252
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中天科工半导体（深圳）有限公司
IXTY1R4N120P-TRL
IXYS
23+
TO-252AA
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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深圳市博浩通科技有限公司
IXTY1R4N60P
IXYS
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TO-252AA(DPA
8600
全新原装现货
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深圳市百视威讯电子科技有限公司
IXTY1R4N60P
23+
N/A
30650
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