IXDR30N120价格

参考价格:¥44.9688

型号:IXDR30N120D1 品牌:Ixys 备注:这里有IXDR30N120多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXDR30N120批发/采购报价,IXDR30N120行情走势销售排行榜,IXDR30N120报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXDR30N120

HighVoltageIGBTwithoptionalDiodeISOPLUSTMpackage

HighVoltageIGBTwithoptionalDiodeISOPLUS™package(ElectricallyIsolatedBackSide) ShortCircuitSOACapability SquareRBSOA Features •NPTIGBTtechnology -highswitchingspeed -lowswitchinglosses -squareRBSOA,nolatchup -highshortcircuitcapability -

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXDR30N120

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

HighVoltageIGBTwithoptionalDiodeISOPLUSTMpackage

HighVoltageIGBTwithoptionalDiodeISOPLUS™package(ElectricallyIsolatedBackSide) ShortCircuitSOACapability SquareRBSOA Features •NPTIGBTtechnology -highswitchingspeed -lowswitchinglosses -squareRBSOA,nolatchup -highshortcircuitcapability -

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

Fieldstoptrenchtechnology

GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperationwithexceptionalavalancheruggedness.Thisdeviceisdesignedforsoftswitchingapplications. Features •Fi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

Fieldstoptrenchtechnology

GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperationwithexceptionalavalancheruggedness.Thisdeviceisdesignedforsoftswitchingapplications. Features •Fi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

1200V,30ATrenchIGBT

文件:614.76 Kbytes Page:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

1200V,30ATrenchIGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/30A

文件:559.44 Kbytes Page:6 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

IXDR30N120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXDR30N120

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 30 Amps 1200V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-13 18:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
23+
ISOPLUS247
10639
全新原装
IXYS/艾赛斯
23+
ISOPLUS247
6000
原装正品,支持实单
IXYS
22+
ISOPLUS247?
9000
原厂渠道,现货配单
Littelfuse/IXYS
新批次
TO-247
4500
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-247-3
2368
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IXYS艾赛斯
1626+
TO247
1225
代理品牌
Littelfuse/IXYS
23+
TO-247
928
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
IXYS
23+
ISOPLUS24
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
IXYS
18+
TO-247
2050
公司大量全新原装 正品 随时可以发货

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