型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGH30N120FTDTU

Fieldstoptrenchtechnology

GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperationwithexceptionalavalancheruggedness.Thisdeviceisdesignedforsoftswitchingapplications. Features •Fi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGH30N120FTDTU

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 60A 339W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

Fieldstoptrenchtechnology

GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperationwithexceptionalavalancheruggedness.Thisdeviceisdesignedforsoftswitchingapplications. Features •Fi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

1200V,30ATrenchIGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

1200V,30ATrenchIGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/30A

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FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

FGH30N120FTDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGH30N120FTDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-CH/1200V 30A FS Trench

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-28 16:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
仙童
17+
NA
6200
100%原装正品现货
FSC
1746+
TO247
8862
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品!
FAIRCHILD/仙童
2023+
TO-247
4099
十五年行业诚信经营,专注全新正品
FAIRCHI
2017+
SMD
12000
原厂/代理渠道价格优势
Fairchild/ON
22+
TO247
9000
原厂渠道,现货配单
Fairchild仙童
23+
TO247
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
ON
2023+
TO-247
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
FAIRCHILD/仙童
TO-247
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
ON-安森美
24+25+/26+27+
TO-247-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
FAI
1822+
TO247
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

FGH30N120FTDTU芯片相关品牌

  • ANAREN
  • CDE
  • COMCHIP
  • COPAL
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