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IXBH40N160价格
参考价格:¥98.3691
型号:IXBH40N160 品牌:IXYS 备注:这里有IXBH40N160多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXBH40N160批发/采购报价,IXBH40N160行情走势销售排行榜,IXBH40N160报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IXBH40N160 | HighVoltageBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor-N-Channel,EnhancementMode HighVoltageBIMOSFET™MonolithicBipolarMOSTransistor N-Channel,EnhancementMode Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •HighVoltageBIMOSFETTM -replaceshighvoltageDarlingtonsandseriesconnectedMOSFETs -lowereffectiveRDS(on) •Monolithicconstructi | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | ||
IXBH40N160 | 封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1600V 33A 350W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | ||
HighVoltageBIMOSFET HighVoltageBIMOSFET™inHighVoltageISOPLUSi4-PAC™ MonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETswithsignificantlylowervoltagedrop -fastswitchingforhighfrequencyoperation -reverseconductioncapability • | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | |||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件:762.5 Kbytes Page:5 Pages | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |
IXBH40N160产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXBH40N160
- 功能描述
IGBT 晶体管 1600V 33A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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08+(pbfree) |
8866 |
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ALTERA |
2022+ |
44TQFP |
6000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA |
30000 |
有挂就有货,只做原装免费送样,可BOM配单 |
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IXYS |
21+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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23+ |
N/A |
90650 |
正品授权货源可靠 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA/ |
2867 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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IXYS/艾赛斯 |
21+ROHS |
TO-247 |
12888 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
TO247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
IXBH40N160规格书下载地址
IXBH40N160参数引脚图相关
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2020-4-10
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