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IRGP30B120KD-EPBF_15	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE 文件：297.03 Kbytes Page：13 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP30B120KD-E	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE VCES=1200V VCE(on)typ.=2.28V VGE=15V,IC=25A,25°C INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10µsShortCircuitCapability	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP30B120KD-EP	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10μsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •UltrasoftDiodeRecoveryCharacteristics •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •ExtendedLeadTO-247ADPackage •Lead-Free Bene	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
MBR30B120CTH	PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt 文件：133.65 Kbytes Page：3 Pages	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)
MBR30B120FCTH	PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt 文件：133.65 Kbytes Page：3 Pages	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)

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更新时间：2024-5-11 8:00:00

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华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-23
IRG4PC50WPBF
属性参数值商品目录IGBT管集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27
IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
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2020-7-17
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IRL1004STRRPBF公司大量原装正品现货/长期供应
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2019-5-8

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