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IRGP30B120KD-EP价格

参考价格：￥16.2876

型号：IRGP30B120KD-EP 品牌：International 备注：这里有IRGP30B120KD-EP多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRGP30B120KD-EP批发/采购报价，IRGP30B120KD-EP行情走势销售排行榜，IRGP30B120KD-EP报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
IRGP30B120KD-EP	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10μsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •UltrasoftDiodeRecoveryCharacteristics •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •ExtendedLeadTO-247ADPackage •Lead-Free Bene	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP30B120KD-EP	封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR）描述：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP30B120KD-EPBF	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE 文件：297.03 Kbytes Page：13 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP30B120KD-EPBF_15	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE 文件：297.03 Kbytes Page：13 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP30B120KD-E	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE VCES=1200V VCE(on)typ.=2.28V VGE=15V,IC=25A,25°C INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10µsShortCircuitCapability	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
MBR30B120CTH	PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt 文件：133.65 Kbytes Page：3 Pages	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)
MBR30B120FCTH	PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt 文件：133.65 Kbytes Page：3 Pages	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)

IRGP30B120KD-EP产品属性

类型
描述
型号
IRGP30B120KD-EP
功能描述
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

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更新时间：2024-4-23 17:40:00

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