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IRGBC40 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IRGBC40 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=20A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT STD 600V 50A TO-220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
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IRGBC40产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGBC40
- 制造商
IRF
- 制造商全称
International Rectifier
- 功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
||||
IOR |
23+ |
TO220 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
INTERNATIONALRECTIFIER |
21+ |
35200 |
一级代理/放心采购 |
||||
IR |
23+ |
NA/ |
17138 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
IR |
TO220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
IR |
23+ |
TO |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IRC |
新 |
40 |
全新原装 货期两周 |
||||
IR |
22+ |
TO-220 |
88559 |
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