型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFU9N20DPBF

HEXFETPowerMOSFET

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFU9N20DPBF

SMPSMOSFET

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.38ohm,Id=9.4A)

SMPSMOSFET Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

SMPSMOSFET

SMPSMOSFET Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

N-Channel200V(D-S)MOSFET

文件:1.76292 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelMOSFETTransistor

文件:336.4 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelMOSFETTransistor

文件:336.4 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IRFU9N20DPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFU9N20DPBF

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-29 10:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
21+
TO251
10000
原装现货假一罚十
I
23+
I-PAK
10000
公司只做原装正品
IR
TO-251
6000
原装现货,长期供应,终端可账期
IR
2022+
TO-251
748
原厂代理 终端免费提供样品
IR
22+
TO-251
360000
进口原装房间现货实库实数
VBSEMI
19+
TO-251
29600
绝对原装现货,价格优势!
IR
22+23+
TO-251
27294
绝对原装正品全新进口深圳现货
IR
06+
TO-251
1500
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
IR
23+
TO-251
50000
全新原装正品现货,支持订货

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