制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 4.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 800 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
系列: IRFR/U
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 340 mg