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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   | |
PowerMOSFET 文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE GermaniumGlassDiode Features •GermaniumGlassDiode •RoHSCompliance | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | | |
SiliconAvalancheDiodes-1500WattMetalAxialLeadedTransientVoltageSuppressors FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Bi-directional MAXIMUMRATING •PeakPulsePower(Ppk):15000Watts(10x1000µs)@25°C(seedi | LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司 |  | | |
SchottkyBarrierDiode Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar | FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司 |  | | |
JEDECDO-7PACKAGE JEDECDO-7PACKAGE | ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | | |
1.2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpow | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | |
IRFR1N60ATRL产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFR1N60ATRL
- 功能描述
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
21+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
Vishay Siliconix |
23+ |
D-Pak |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IR |
23+ |
D-PAK |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
23+ |
N/A |
85200 |
正品授权货源可靠 |
||||
VB |
2019 |
TO252-2 |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
|||
VISHAY(威世) |
23+ |
TO2523 |
6000 |
||||
VISHAY(威世) |
23+ |
TO-252 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
VISHAY/威世 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
IR |
22+ |
SOP8 |
4600 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
VISHAY/威世 |
TO252-2 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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IRFR1N60ATRL规格书下载地址
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IRFR15N20DTRPBF
表面贴装型N通道200V17A（Tc）3W（Ta），140W（Tc）D-PAK（TO-252AA）
2022-10-19IRFR13N20DTRPBF
联系人张生电话19926428992QQ1924037095
2021-10-12IRFR13N20DTRPBF
属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss)200V 连续漏极电流(Id)13A 功率(Pd)110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id)235mΩ10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)5.5V250μA 类型N沟道
2021-10-12IRFR320TRPBF深圳原装进口无铅现货
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2021-1-26IRFR320TRPBF深圳原装无铅现货
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2020-12-24IRFR2405PDF资料原装正品供应商
IRFR2405PDF资料
2019-1-28
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