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IRFIBE30G价格

参考价格：￥4.0382

型号：IRFIBE30GPBF 品牌：VISHAY 备注：这里有IRFIBE30G多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFIBE30G批发/采购报价，IRFIBE30G行情走势销售排行榜，IRFIBE30G报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
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IRFIBE30G	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：319.37 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFIBE30G	Power MOSFET 文件：1.4069 Mbytes Page：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIBE30G	Power MOSFET 文件：756.1 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIBE30GPBF	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS=800V,RDS(on)=3.0Ω,ID=2.1A	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFIBE30GPBF	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicati	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIBE30G_17	Power MOSFET 文件：1.4069 Mbytes Page：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIBE30G_V01	Power MOSFET 文件：756.1 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIBE30GPBF	Power MOSFET 文件：756.1 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技

IRFIBE30G产品属性

类型
描述
型号
IRFIBE30G
功能描述
MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-13 20:19:00

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