时间：2019-11-4 10:37:00
产品参数
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-254-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 400 V
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 415 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 13.84 mm
长度: 13.84 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.6 mm
商标: Infineon / IR
下降时间: 130 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 190 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 170 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNEL POWER MOSFET | SEME-LAB Seme LAB |  |   | |
Comparator and Reference Circuits | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  | | |
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MiniPROFET(High-side switch Short-circuit protection Overtemperature protection with hysteresis) | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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