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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRFIBC40GLC | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
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IRFIBC40GLC | Low thermal resistance 文件：890.14 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  | |
HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IRFIBC40GLC产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFIBC40GLC
- 功能描述
MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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