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IRFI9Z14G	PowerMOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •P-channel •175°Coperatingtemperature •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI9Z14G	HEXFET-RPOWERMOSFET 文件：184 Kbytes Page：6 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFI9Z14G	PowerMOSFET 文件：1.52458 Mbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI9Z14G_V01	PowerMOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •P-channel •175°Coperatingtemperature •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI9Z14GPBF	PowerMOSFET 文件：1.52458 Mbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF9Z14	RepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF9Z14	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-6.7A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF9Z14	PowerMOSFET 文件：277.86 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF9Z14	PowerMOSFET 文件：158.97 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF9Z14	iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：270.13 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IRFI9Z14G产品属性

类型
描述
型号
IRFI9Z14G
功能描述
MOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-4-30 11:36:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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IRFI9630G107，IRFI9630GSPRFMDLF33，IRFI9634G，IRFI9634GPBF，IRFI9640GPBF
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IRFH7932TRPBF深圳市拓亿芯电子有限公司，专业代理，分销世界名牌电子元器件，是一家专业化，品牌化的电子元器件，质量第一，诚信经营。
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