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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
HEXFETPowerMOSFET 文件：68.35 Kbytes Page：2 Pages | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 |  | | |
4-BITSHIFTREGISTERS 文件：159.93 Kbytes Page：4 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | |
IRF7494TR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF7494TR
- 功能描述
MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTERNATIONAL RECTIFIER |
2023+ |
SMD |
9942 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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IR |
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SO-8 |
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价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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IR |
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SOP-8 |
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全新原装品牌专营 |
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INFINEON/英飞凌 |
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一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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IOR |
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全新原装现货,欢迎来电咨询 |
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SOP8 |
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IOR |
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SOP8 |
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全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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2018-12-28
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