数据列表 IRF7458PbF
标准包装 4000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 HEXFET?
其它名称 IRF7458PBFTR
IRF7458TRPBF-ND
IRF7458TRPBFTR-ND
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,16V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8 毫欧 @ 14A,16V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2410pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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