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IRF644N	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=240mohm,Id=14A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF644N	PowerMOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
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IRF644NSTRRPBF	PowerMOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
AD644	DualHighSpeed,ImplantedBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD644isapairofmatchedhighspeedmonolithicFETinputoperationalamplifiersfabricatedwiththemostadvancedbipolar,JFETandlaser-trimmingtechnologies.TheAD644offersmatchedbiascurrentsthataresignificantlylowerthancurrentlyavailablemonolithicdualB	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
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644H	600Hand600NHseries 文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
A644PHC	MountingbracketsrequiredtomeetUL/CSAexternalmountingrequirements. 文件：1.06838 Mbytes Page：4 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
A644PHCW	MountingbracketsrequiredtomeetUL/CSAexternalmountingrequirements. 文件：1.06838 Mbytes Page：4 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商

IRF644N产品属性

类型
描述
型号
IRF644N
功能描述
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

IRF644N供应商更多...

更新时间：2024-4-30 18:26:00

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