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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRF644NSTRRPBF | PowerMOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
DualHighSpeed,ImplantedBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD644isapairofmatchedhighspeedmonolithicFETinputoperationalamplifiersfabricatedwiththemostadvancedbipolar,JFETandlaser-trimmingtechnologies.TheAD644offersmatchedbiascurrentsthataresignificantlylowerthancurrentlyavailablemonolithicdualB | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  | | |
DualHighSpeed,ImplantedBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD644isapairofmatchedhighspeedmonolithicFETinputoperationalamplifiersfabricatedwiththemostadvancedbipolar,JFETandlaser-trimmingtechnologies.TheAD644offersmatchedbiascurrentsthataresignificantlylowerthancurrentlyavailablemonolithicdualB | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | | | |
600Hand600NHseries 文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |  | | |
MountingbracketsrequiredtomeetUL/CSAexternalmountingrequirements. 文件：1.06838 Mbytes Page：4 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | | | |
MountingbracketsrequiredtomeetUL/CSAexternalmountingrequirements. 文件：1.06838 Mbytes Page：4 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | | |
IRF644NSTRRPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF644NSTRRPBF
- 功能描述
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
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2019-3-25
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