您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 芯片资料
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第456页 > IRF1010N

IRF1010N价格

参考价格：￥2.5912

型号：IRF1010NPBF 品牌：International 备注：这里有IRF1010N多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF1010N批发/采购报价，IRF1010N行情走势销售排行榜，IRF1010N报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRF1010N

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A??

VDSS=55V RDS(on)=11mΩ ID=85A‡ Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010N

N-ChannelMOSFETTransistor

文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF1010NL

FullyAvalancheRated

Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF1010NL

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A??

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NLPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NPBF

AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF1010NPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NS

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A??

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NS

FullyAvalancheRated

Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF1010NSPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NLPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NLPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：231.48 Kbytes Page：8 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NPBF_15

AdvancedProcessTechnology

文件：231.48 Kbytes Page：8 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：263.33 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF1010NSPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NSPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NSPBF_15

AdvancedProcessTechnology

文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NSTRRPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
1010

DeadBlowNylonHammers

Die-castonepieceheadandhandleofaluminiumalloy.Fittedwithshockabsorbentrubbergrip.Screw-infacesofspecialnylon.Thehollowheadispartiallyfilledwithshotwhichaddstotheweightandpreventsre-bound.Allowingheavyandeffectiveblowswithmaximumimpactcontrol.

THORTHOR communications

THOR communications

THOR
1010PT

Voltageratingupto3800V

文件：1.35889 Mbytes Page：5 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI
1010PTDO

PhaseControlThyristors

文件：1.3645 Mbytes Page：5 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI
1010VS

HighFrequency,HighCurrentPowerInductors

文件：327.3 Kbytes Page：3 Pages

COILCRAFTCoilcraft

线艺

COILCRAFT
A1010

HighlyPredictablePerformancewith100AutomaticPlacementandRouting

文件：2.00904 Mbytes Page：98 Pages

ActelActel Corporation

Actel 公司

Actel

IRF1010N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF1010N

  • 功能描述

    MOSFET MOSFET, 55V, 72A, 11 mOhm, 80 nC Qg, TO-220AB

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRF1010N供应商更多...

更新时间：2024-5-11 13:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市向鸿伟业电子有限公司
IRF1010N
求购IC
2016+
TO-220
5083
询价
深圳市安富世纪电子有限公司
IRF1010N
IR
21+
SOT220
50000
终端可免费提供样品,欢迎咨询
询价
深圳市拓亿芯电子有限公司
IRF1010N
IR
23+
TO-220
30000
代理全新原装现货,价格优势
询价
深圳市勤思达科技有限公司
IRF1010N
IR
23+
1018
TO-220
询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司
IRF1010NL
IR
22+
TO-262
9450
原装正品，实单请联系
询价
深圳市赛能新源半导体有限公司
IRF1010N
IR
21+
TO-220
16500
进口原装正品现货
询价
深圳市华来深电子有限公司
IRF1010N
IR
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司
IRF1010N
IR
TO-220
7510
专业分销全系列产品!绝对原装正品!量大可订!价格优
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
IRF1010NSTRLPBF
Infineon Technologies
23+
D2PAK
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司
IRF1010N
23+
N/A
36500
正品授权货源可靠
询价

IRF1010N芯片相关品牌

  • Allegro
  • ETC1
  • HP
  • IVO
  • LEM
  • MILL-MAX
  • Samsung
  • SII
  • SynQor
  • TOSHIBA
  • Vectron
  • Winchester

IRF1010N规格书下载地址

IRF1010N参数引脚图相关

IRF1010N数据表相关新闻

  • IRF1407PBF

    IRF1407PBF

    2022-7-22

  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7

  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

    2020-4-18

  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17

  • IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF

    IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF

    2020-1-12

  • IR51H224-自激式半桥

    特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使

    2013-2-8

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2024 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示