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IRF1010NLPBF	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF1010NLPBF	AdvancedProcessTechnology 文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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1010	DeadBlowNylonHammers Die-castonepieceheadandhandleofaluminiumalloy.Fittedwithshockabsorbentrubbergrip.Screw-infacesofspecialnylon.Thehollowheadispartiallyfilledwithshotwhichaddstotheweightandpreventsre-bound.Allowingheavyandeffectiveblowswithmaximumimpactcontrol.	THORTHOR communications THOR communications
1010PT	Voltageratingupto3800V 文件：1.35889 Mbytes Page：5 Pages	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
1010PTDO	PhaseControlThyristors 文件：1.3645 Mbytes Page：5 Pages	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
1010VS	HighFrequency,HighCurrentPowerInductors 文件：327.3 Kbytes Page：3 Pages	COILCRAFTCoilcraft 线艺
A1010	HighlyPredictablePerformancewith100AutomaticPlacementandRouting 文件：2.00904 Mbytes Page：98 Pages	ActelActel Corporation Actel 公司

IRF1010NLPBF产品属性

类型
描述
型号
IRF1010NLPBF
功能描述
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
HEXFET®
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™ FET
型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds
1560pF @ 25V 功率 -
最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

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更新时间：2024-5-11 14:18:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18
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IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
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特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8

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