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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
IRF7807D1	MOSFET/SCHOTTKYDIODE Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFETMOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7807D1PBF	FETKYMOSFET/SCHOTTKYDIODE Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFET®MOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7807D1PBF	LowConductionLosses 文件：173.42 Kbytes Page：8 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

IR7807D1供应商更多...

更新时间：2024-5-26 20:00:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRF7807D1	IR	23+	NA/	2684	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	IRF7807D1		IR	SOP-8	68900	原包原标签100%进口原装常备现货!	询价
深圳市胜彬电子有限公司	IRF7807D1	IR	22+	SMD	8000	原装正品支持实单	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRF7807D1	IOR	99+	SOP-8P	129		询价
深圳市惊羽科技有限公司	IRF7807D1	IRC-TT	24+25+/26+27+	SOIC-8	18800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	IRF7807D1TR	IR	2019+	SOP8	18000	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IRF7807D1	IR	17+	SO-8	6200	100%原装正品现货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRF7807D1	IR	23+	SOP8	51508	原装正品,假一罚十	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	IRF7807D1	IOR	2020+	SOP8	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
艾睿国际（香港）有限公司	IRF7807D1	IR	2021+	SOP8	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价

IR3889MTRPBF
TheIR3889OptiMOSTM系列IPOL是一款易于使用、完全集成的DC-DC降压稳压器。IR3889具有板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™MOSFET是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8