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IR2235STRPBF	封装/外壳：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）包装：卷带（TR）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC 集成电路（IC）栅极驱动器	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
C2235	TRANSISTOR(AUDIOPOWER,DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioPowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Complementaryto2SA965.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2235	POTTEDRIVETNUT 文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	WITTEN Witten Company, Inc.
AN-2235	AN-2235CircuitBoardDesignforLMH6517/21/22andOtherHigh-SpeedIF/RFFeedbackAmplifiers 文件：3.21476 Mbytes Page：6 Pages	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
CQ-2235	High-SpeedSmallCurrentSensor 文件：774.14 Kbytes Page：16 Pages	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
DVCR2235-LF	ELECTROLYTIC-85째C 文件：271.86 Kbytes Page：3 Pages	DUBILIERDUBILIER DUBILIER

IR2235STRPBF产品属性

类型
描述
型号
IR2235STRPBF
功能描述
功率驱动器IC 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SOIC-8
封装
Tube

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更新时间：2024-5-16 23:38:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IR2235STRPBF	Infineon Technologies	24+	28-SOIC(0.295,7.50mm 宽)	28016	英飞凌电源管理芯片-原装正品	询价
深圳市晴轩时代电子有限公司	IR2235STRPBF	Infineon/英飞凌	21+	SOIC28W	8800	公司只作原装正品	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	IR2235STRPBF	IR	2020+	SOP28	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
鑫勃源（上海北京青岛）有限公司	IR2235STRPBF	IR	23+	PQFP	18000		询价
深圳市九方航科技有限公司	IR2235STRPBF	Infineon/英飞凌	23+	SOIC28W	7188	秉承只做原装终端我们可以提供技术支持	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	IR2235STRPBF	INFINEON/英飞凌	21+	SOP28	5590	只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!	询价
深圳市振宏微科技有限公司	IR2235STRPBF	IR	23+	SOP28	28000	原装正品	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	IR2235STRPBF	Infineon Technologies	21+	28SOIC	13880	公司只售原装,支持实单	询价
深圳市近平电子有限公司	IR2235STRPBF	IR	0606+	SOP	6000	绝对原装自己现货	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IR2235STRPBF	IR	23+	SOP28	9896		询价

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2020-1-10
IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-6
IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9
IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9
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说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
2013-2-9

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